Поликристаллическая RFID инлета

Японские фирмы Semiconductor Energy Laboratory (SEL) и TDK создали прототип 8-битового микроконтроллера с RFID интерфейсом (ISO 15693).

Выполнен он на гибкой подложке в виде обычной инлеты (допускается радиус изгиба подложки 10 мм, толщина - 200 мкм). Устройство пассивного типа, работает на частоте 13,56 МГц, а контроллер на 3.39 МГц, дальность работы - несколько милиметров.














Сейчас исследователи заняты уменьшением толщины пластиковой подложки, хотят до 100 мкм чтобы было можно встроить RFID инлету в бумагу (деньги, документы и пр.) Кроме этого разработчикам хочется сократить энерго-потребление которое сейчас больше чем у монокремниевых аналогов.

Как это сделали
SEL объявила о 8-битовом микроконтроллере на гибкой пластиковой подложке еще в 2004 году. Сначала схема формируется на стекляной подложке в слое поликремния, потом переносится со стекла на пластик. Так поступают из-за того что низкотемпературный поликремний осаждается при 550*C, а пластик выдерживает не более 200*C, делая невозможным прямое осаждение поликремния. На стеклянную подложку TFT слой наносится поверх некой разделительной пленки, которая облегчает будущий перенос со стекла на пластик..

Цитата по технике дела:

The firms reviewed the material used for the separation film and the method used to form the low-temperature poly-Si, with two objectives in mind: to boost TFT carrier mobility above what it is conventionally, and to minimize degradation in carrier mobility when transferring the TFT film from glass to plastic substrates.

The effects show up clearly, as the resulting TFT exhibits no problems with degradation in electrical characteristics, and the sensitive radio circuit functions normally. Electron mobility was boosted by about 15% prior to transfer, rising to about 60 or 70% with monocrystalline Si. Carrier mobility degradation caused by transfer was only about 0.3% for electron mobility, and about 3% for hole mobility, with variation in electrical characteristics about the same as between TFTs, according to Jun Koyama, director, Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd of Japan. Threshold voltage changed from +0.405V to +0.404V with transfer for n-type TFTs, and from -1.174V to -1.172V for p-type TFTs, or essentially the same. Details of the separation film were not disclosed.

Источник